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前序课件补漏与例题精讲

本文补充整理 2026 年 4 月 27 日至 6 月 10 日的前序课件,并结合课程进度推测 6 月 15 日缺失课件可能覆盖或强化的内容。

需要特别说明:

  • 6 月 15 日目录中虽有课件文件,但其中只有课堂系统截图,没有有效教学内容;
  • 以下“已讲知识点”和例题均来自此前的完整课件;
  • “可能考什么”是根据章节推进、教师反复讲解的公式以及课件例题推测,不等于确定考题;
  • 最后两节课的重点仍应配合 01、最后两节课例题精讲.md 一起复习。

一、从课程进度推测缺失课次可能考什么

Section titled “一、从课程进度推测缺失课次可能考什么”

前序课件的知识推进大致如下:

传感器基本特性
电阻应变式传感器与电桥
电容式传感器
电感式、差动变压器与电涡流传感器
热电偶、霍尔、光电与编码器
超声波检测
测量误差与数据处理

6 月 8 日和 6 月 10 日已经进入“测量误差与数据处理”,6 月 17 日又回顾热电偶、补偿和超声波,6 月 22 日进行了综合例题复习。因此,缺失课次最可能承担以下作用:

  1. 补完测量误差与数据处理,包括有效数字、系统误差削弱、误差传递;
  2. 串联此前各类传感器的典型计算;
  3. 强调差动结构、补偿电路和实际测量电路;
  4. 为最后综合复习整理公式和题型。

据此,除了最后两节课明确出现的内容,还应重点防下面六类题。

优先级知识点最可能题型
很高一阶、二阶传感器动态特性简答、识图、参数含义
很高电容式传感器原理、线性化、位移或液位计算
很高电感式传感器电感、品质因数、等效电感综合计算
应变片温度误差及补偿简答、画桥路、判断桥臂
霍尔元件、编码器和格雷码简答、填空、编码转换
有效数字、系统误差和误差传递判断、计算、方法简答

静态特性研究输入不随时间变化或变化很慢时,传感器输出是否准确;动态特性研究输入快速变化时,输出能不能及时跟随。

例如温度突然升高,温度传感器不会瞬间到达最终示值,而会经历一个响应过程。这个“跟得快不快、有没有超调、多久稳定”就是动态特性。

一阶、二阶传感器时域和频域动态特性

一阶传感器典型传递函数为:

H(s)=Kτs+1H(s)=\frac{K}{\tau s+1}

其中:

  • KK 为静态灵敏度;
  • τ\tau 为时间常数;
  • τ\tau 越小,传感器响应越快。

当输入为单位阶跃时,输出为:

y(t)=K(1et/τ)y(t)=K\left(1-e^{-t/\tau}\right)

当:

t=τt=\tau

有:

y(τ)=K(1e1)0.632Ky(\tau)=K(1-e^{-1})\approx0.632K

因此要直接记住:

一阶传感器受到阶跃输入后,经过一个时间常数 τ\tau,输出达到最终值的约 63.2%63.2\%

经过约 3τ3\tau 时,输出达到最终值的 95%95\% 左右;经过约 5τ5\tau 时,可认为基本稳定。

某一阶温度传感器最终稳定输出为 100mV100mV。加阶跃温度后,经过 2s2s,输出达到 63.2mV63.2mV,求时间常数。

因为:

63.2100=63.2%\frac{63.2}{100}=63.2\%

一阶系统在 t=τt=\tau 时达到最终值的 63.2%63.2\%,所以:

τ=2s\tau=2s

若问大约多久可基本稳定,可取:

t5τ=10st\approx5\tau=10s

s=jωs=j\omega

H(jω)=K1+jωτH(j\omega)=\frac{K}{1+j\omega\tau}

幅频特性:

H(jω)=K1+(ωτ)2|H(j\omega)|= \frac{K}{\sqrt{1+(\omega\tau)^2}}

相频特性:

φ(ω)=arctan(ωτ)\varphi(\omega)=-\arctan(\omega\tau)

输入频率越高,输出幅值衰减越明显,相位滞后也越大。因此传感器必须具有足够宽的工作频带。

某传感器的可用频率上限为 100Hz100Hz,现测量一个主要频率为 20Hz20Hz 的信号。

由于:

20Hz<100Hz20Hz<100Hz

输入处于传感器可用频带内,幅值失真通常较小,可以进行测量。若信号频率接近或超过 100Hz100Hz,输出将明显衰减,不能再认为是无失真测量。

二阶传感器典型传递函数为:

H(s)=Kωn2s2+2ζωns+ωn2H(s)= \frac{K\omega_n^2} {s^2+2\zeta\omega_n s+\omega_n^2}

其中:

  • ωn\omega_n 为固有角频率;
  • ζ\zeta 为阻尼比;
  • KK 为静态灵敏度。

阻尼比决定阶跃响应形状:

阻尼情况特点
0<ζ<10<\zeta<1欠阻尼,有超调和振荡
ζ=1\zeta=1临界阻尼,无振荡且响应较快
ζ>1\zeta>1过阻尼,无振荡但响应较慢

若二阶传感器受到阶跃输入后,输出越过最终值并来回振荡,最后才趋于稳定,则它属于欠阻尼系统:

0<ζ<10<\zeta<1

图中峰值超过最终稳定值的部分称为超调量,进入规定误差带并不再离开的时间称为调节时间或稳定时间。


应变片基本关系为:

K=ΔR/RεK= \frac{\Delta R/R}{\varepsilon}

所以:

ΔRR=Kε\frac{\Delta R}{R}=K\varepsilon ΔR=KRε\Delta R=KR\varepsilon

温度变化会同时造成两类影响:

  1. 应变片自身电阻随温度改变;
  2. 应变片和被测构件热膨胀系数不同,产生附加应变。

即使被测件没有受到外力,电桥也可能产生输出,这就是温度误差。

常用方法是设置一片与工作应变片参数相同的补偿片:

  • 工作片粘贴在受力位置;
  • 补偿片处于相同温度环境;
  • 补偿片不承受被测机械应变;
  • 两片接入电桥相邻桥臂。

温度引起的电阻变化近似相同,在电桥输出中相互抵消;机械应变只作用于工作片,因此仍能形成测量输出。

应变片电阻变化与单臂电桥输出原题

已知:

R0=120Ω,K=2.05,ε=800με,Ui=3VR_0=120\Omega,\quad K=2.05,\quad \varepsilon=800\mu\varepsilon,\quad U_i=3V

先换算应变:

800με=800×106800\mu\varepsilon=800\times10^{-6}

电阻相对变化量:

ΔRR=Kε=2.05×800×106=1.64×103\frac{\Delta R}{R} =K\varepsilon =2.05\times800\times10^{-6} =1.64\times10^{-3}

电阻变化量:

ΔR=RΔRR=120×1.64×1030.197Ω\Delta R =R\frac{\Delta R}{R} =120\times1.64\times10^{-3} \approx0.197\Omega

单臂电桥近似输出:

UoUi4ΔRRU_o\approx \frac{U_i}{4}\frac{\Delta R}{R}

所以:

Uo=34×1.64×103=1.23mVU_o= \frac{3}{4}\times1.64\times10^{-3} =1.23mV

这类题固定按照下面的公式链做:

应变 ε
相对电阻变化 ΔR/R=Kε
电阻变化 ΔR=KRε
电桥输出

若改成半桥或全桥,在桥臂变化方向安排正确时:

Uo,半桥Ui2ΔRRU_{o,\text{半桥}} \approx\frac{U_i}{2}\frac{\Delta R}{R} Uo,全桥UiΔRRU_{o,\text{全桥}} \approx U_i\frac{\Delta R}{R}

因此半桥灵敏度约为单臂的 2 倍,全桥约为单臂的 4 倍。


平行板电容器基本公式:

C=ε0εrSdC=\varepsilon_0\varepsilon_r\frac{S}{d}

可改变三个参数:

类型改变参数常见用途
变间隙式dd微小位移、压力、振动
变面积式SS直线位移、角位移
变介质式εr\varepsilon_r液位、湿度、物料检测

若初始间隙为 d0d_0,位移使间隙变为 d0Δdd_0-\Delta d

C=εSd0Δd=C01Δd/d0C= \frac{\varepsilon S}{d_0-\Delta d} =\frac{C_0}{1-\Delta d/d_0}

这不是线性关系。只有:

Δdd01\left|\frac{\Delta d}{d_0}\right|\ll1

时,才能近似为:

ΔCC0Δdd0\frac{\Delta C}{C_0} \approx \frac{\Delta d}{d_0}

所以变间隙式灵敏度高,但测量范围通常较小。

差动结构让一个电容增大、另一个电容减小。它可以:

  • 提高灵敏度;
  • 减小非线性;
  • 抑制温度、电源等共同变化的影响;
  • 判断位移方向。

变间隙电容测微仪原题与解答

已知:

r=4mm,d0=0.3mm,ε0=8.85×1012F/mr=4mm,\quad d_0=0.3mm,\quad \varepsilon_0=8.85\times10^{-12}F/m

初始电容:

C0=ε0πr2d01.48pFC_0= \frac{\varepsilon_0\pi r^2}{d_0} \approx1.48pF

当:

Δd=±10μm\Delta d=\pm10\mu m

采用小位移近似:

ΔC=C0Δdd0\Delta C= C_0\frac{\Delta d}{d_0}

得到:

ΔC±0.049pF\Delta C\approx\pm0.049pF

若题目把从 10μm-10\mu m+10μm+10\mu m 的总变化量作为答案,则:

ΔC=2ΔC=0.098pF\Delta C'=2|\Delta C|=0.098pF

当:

Δd=±1μm,Ku=100mV/pF\Delta d=\pm1\mu m,\quad K_u=100mV/pF

有:

ΔC±0.0049pF\Delta C\approx\pm0.0049pF

输出:

Uo=KuΔC=100×(±0.0049)=±0.49mVU_o=K_u\Delta C =100\times(\pm0.0049) =\pm0.49mV
  1. mmmmμm\mu mmm 必须统一;
  2. 要分清“相对初始位置的变化量”和“正负极限之间的总变化量”;
  3. 小位移近似有使用条件,不能在位移很大时直接套用。

同轴圆柱电容器:

C=2πεHln(r2/r1)C= \frac{2\pi\varepsilon H} {\ln(r_2/r_1)}

其中 HH 为有效高度。

液体进入后,介电常数从 ε0\varepsilon_0 变为:

ε=ε0εr\varepsilon=\varepsilon_0\varepsilon_r

因此可以利用电容变化测量液位和体积。

同轴圆柱电容式液位传感器原题

已知两圆柱直径为 40mm40mm8mm8mm,所以:

r2r1=408=5\frac{r_2}{r_1}=\frac{40}{8}=5

高度:

H=1.2mH=1.2m

空气中最小电容:

Cmin=2πε0Hln541.46pFC_{\min}= \frac{2\pi\varepsilon_0H}{\ln5} \approx41.46pF

液体充满后:

Cmax=εrCmin=2.1×41.4687.07pFC_{\max}= \varepsilon_rC_{\min} =2.1\times41.46 \approx87.07pF

储罐直径为 0.5m0.5m,最大体积:

V=πD24H=π(0.5)24×1.20.2356m3V= \frac{\pi D^2}{4}H =\frac{\pi(0.5)^2}{4}\times1.2 \approx0.2356m^3

因为:

1m3=1000L1m^3=1000L

所以:

V235.6LV\approx235.6L

若用满量程电容变化除以满量程体积,灵敏度为:

SC=CmaxCminV=87.0741.46235.60.194pF/LS_C= \frac{C_{\max}-C_{\min}}{V} =\frac{87.07-41.46}{235.6} \approx0.194pF/L

五、电感式传感器、差动变压器与电涡流

Section titled “五、电感式传感器、差动变压器与电涡流”

忽略铁芯磁阻时,磁路磁阻主要由气隙决定,电感近似为:

L=μ0N2SδL=\frac{\mu_0N^2S}{\delta}

其中:

  • NN 为线圈匝数;
  • SS 为气隙截面积;
  • δ\delta 为气隙总长度。

因为:

L1δL\propto\frac{1}{\delta}

气隙减小,电感增大;气隙增大,电感减小。

线圈品质因数:

Q=ωLR=2πfLRQ=\frac{\omega L}{R} =\frac{2\pi fL}{R}

QQ 越高,线圈的电感特性越明显,损耗相对越小。

线圈实际存在分布电容。课件采用的等效电感关系为:

Lp=L1ω2LCL_p= \frac{L}{1-\omega^2LC}

当工作频率接近谐振频率时,分母变小,等效参数会明显变化。因此电感传感器不能忽略工作频率和寄生电容。

例题:气隙型电感传感器综合题

Section titled “例题:气隙型电感传感器综合题”

气隙型电感传感器综合计算原题

已知:

S=4×4mm2,δ=0.8mm,Δδ=±0.08mmS=4\times4mm^2,\quad \delta=0.8mm,\quad \Delta\delta=\pm0.08mm N=2500,d=0.06mm,f=4000Hz,C=200pFN=2500,\quad d=0.06mm,\quad f=4000Hz,\quad C=200pF

初始电感:

L=μ0N2Sδ157mHL= \frac{\mu_0N^2S}{\delta} \approx157mH

当衔铁向气隙增大的方向移动时,课件按总气隙变化 2Δδ2\Delta\delta 计算:

L+=μ0N2Sδ+2Δδ131mHL_+= \frac{\mu_0N^2S} {\delta+2\Delta\delta} \approx131mH

向气隙减小方向移动:

L=μ0N2Sδ2Δδ196mHL_-= \frac{\mu_0N^2S} {\delta-2\Delta\delta} \approx196mH

正负极限之间的最大变化量:

ΔLmax=LL+=196131=65mH\Delta L_{\max}=L_--L_+ =196-131 =65mH

课件进一步计算得到线圈直流电阻:

R249.6ΩR\approx249.6\Omega

品质因数:

Q=2πfLR15.8Q= \frac{2\pi fL}{R} \approx15.8

代入 C=200pFC=200pF 后,等效电感约为:

Lp160mHL_p\approx160mH

这是一道很典型的综合题,可能拆成多个小问:

  1. 由磁路参数求电感;
  2. 由位移求电感变化;
  3. 由导线长度和截面积求电阻;
  4. 求品质因数;
  5. 考虑分布电容修正等效电感。

差动变压器通常由一个初级线圈和两个反向串联的次级线圈构成:

可移动铁芯
┌─────────────────┐
激励 → │ 初级 次级1 次级2 │
└─────────────────┘
│ │
└─反向串联─→ 输出

中间位置:

U21=U22U_{21}=U_{22}

因此:

Uo=U21U22=0U_o=U_{21}-U_{22}=0

铁芯偏向一侧后,两个次级感应电压不再相等。输出幅值表示位移大小,相位表示位移方向。

若铁芯右移后 U21>U22U_{21}>U_{22},则:

Uo=U21U22>0U_o=U_{21}-U_{22}>0

若铁芯左移后 U21<U22U_{21}<U_{22},则输出反相。实际回答时要结合题图中两个次级线圈的绕向和输出定义,不能只背“左正右负”。

高频线圈接近导体时,导体内部产生电涡流。电涡流的反磁场会改变线圈的等效电阻和电感。

常见用途:

  • 非接触位移和间隙测量;
  • 轴振动和转速测量;
  • 金属厚度测量;
  • 金属材料和表面缺陷检测。

若探头线圈和金属板距离减小,耦合增强,电涡流增强,线圈等效阻抗变化更明显。因此可通过检测线圈阻抗反推出距离。

但更换金属材料后,即使距离不变,电导率和磁导率变化也会引起输出变化,所以使用前必须按被测材料标定。


六、霍尔元件、光电器件与编码器

Section titled “六、霍尔元件、光电器件与编码器”

霍尔补偿、二进制码盘和格雷码

霍尔元件中通入控制电流 II,并施加垂直磁场 BB,可在另一方向产生霍尔电压:

UH=KHIBU_H=K_HIB

因此:

UHI,UHBU_H\propto I,\qquad U_H\propto B

实际霍尔元件还存在:

  • 不等位电势;
  • 温度误差;
  • 零位误差。

课件把霍尔元件等效为四臂电桥。不等位电势可理解为桥路初始不平衡输出,可通过外接电阻调零。

若磁路结构使磁感应强度与被测电流 IxI_x 成正比:

B=kIxB=kI_x

而霍尔元件控制电流保持恒定,则:

UH=KHI(kIx)U_H=K_HI(kI_x)

所以:

UHIxU_H\propto I_x

这就是霍尔电流传感器实现电流到电压转换的基本原理。

复习时至少要区分:

器件主要特征
光敏电阻光照增强时电阻通常减小,响应相对较慢
光电二极管常在反向偏置下工作,响应较快
光电三极管具有电流放大作用,灵敏度较高
光电池可直接产生光生电动势

若要求高速检测光脉冲,应优先考虑光电二极管;若主要追求较高灵敏度且速度要求不高,可考虑光电三极管;若是简单环境亮度检测,可使用光敏电阻。

若码盘每转产生 NN 个脉冲,脉冲频率为 ff,则转速为:

n=60fNn=\frac{60f}{N}

其中 nn 的单位为 r/minr/min

某编码器每转输出 600600 个脉冲,测得脉冲频率为 3000Hz3000Hz

n=60×3000600=300r/minn=\frac{60\times3000}{600} =300r/min

mm 位绝对式编码器共有:

2m2^m

个不同编码,理论角分辨力为:

θmin=3602m\theta_{\min}=\frac{360^\circ}{2^m}

普通二进制码在相邻位置可能同时改变多位,码道切换不同步时容易出现较大读数错误。格雷码相邻编码只变化一位,因此抗过渡误码能力更好。

二进制码 BB 与格雷码 GG 的常用转换关系:

G=B(B1)G=B\oplus(B\gg1)

格雷码转二进制时,从最高位开始逐位异或:

Bn=GnB_n=G_n Bi=Bi+1GiB_i=B_{i+1}\oplus G_i

格雷码为:

G=0110G=0110

从最高位开始:

B3=G3=0B_3=G_3=0 B2=B3G2=01=1B_2=B_3\oplus G_2=0\oplus1=1 B1=B2G1=11=0B_1=B_2\oplus G_1=1\oplus1=0 B0=B1G0=00=0B_0=B_1\oplus G_0=0\oplus0=0

所以:

B=0100B=0100

即十进制数 44


七、有效数字、系统误差和误差传递

Section titled “七、有效数字、系统误差和误差传递”

有效数字与系统误差处理方法

从第一个非零数字起,到误差允许保留的末位数字止,均为有效数字。

例如:

数值有效数字位数
3.14163.14165
0.0870.0872
0.8070.8073
87008700含义不明确,需用科学记数法说明
8.7×1038.7\times10^32
8.700×1038.700\times10^34

测量结果不能无依据地保留很多小数位。保留过多会虚构精度,保留过少会损失测量信息。

若测量结果为:

x=12.3476x=12.3476

估计误差为:

Δx=±0.03\Delta x=\pm0.03

误差保留到百分位,测量值也应保留到百分位:

x=(12.35±0.03)x=(12.35\pm0.03)

不能写成:

12.3476±0.0312.3476\pm0.03

因为后两位没有相应的测量精度支持。

测量误差可写为:

Δxi=εi+δi\Delta x_i=\varepsilon_i+\delta_i

其中:

  • εi\varepsilon_i 为系统误差;
  • δi\delta_i 为随机误差。

随机误差多次平均后趋于抵消,而恒定系统误差不会因增加测量次数而自动消失。

先测未知量,再用已知标准量替代未知量,并使仪器示值保持相同。由于测量系统状态基本不变,可削弱固定系统误差。

交换被测量在测量系统中的位置,比较交换前后的结果,以消除位置、方向或通道差异造成的误差。

同时测量两个相近量并取差:

Δx=x1x2\Delta x=x_1-x_2

两路共同受到的误差可在相减时抵消。

在误差因素作用方向相反的两个状态下测量,取平均值消除奇对称误差。

把被测量与同量级标准量比较,只测量两者的微小差值。测量结果的准确度主要取决于标准量和差值测量精度。

使用同一台仪器先测未知电阻,再接入标准电阻并调到相同示值。这属于替代法。

若将天平左右两盘物体交换位置后再测一次,以削弱两臂不等造成的误差,属于交换法。

若两个温度传感器同时处于相同环境,最后只取两者输出之差,以消除环境温度共同影响,属于差动法。

若间接测量结果为:

y=f(x1,x2,,xn)y=f(x_1,x_2,\ldots,x_n)

小误差条件下,系统误差的线性传递近似为:

Δyi=1nfxiΔxi\Delta y \approx \sum_{i=1}^{n} \frac{\partial f}{\partial x_i}\Delta x_i

若各随机误差相互独立,合成标准不确定度常采用均方根形式:

uy=i=1n(fxiuxi)2u_y= \sqrt{ \sum_{i=1}^{n} \left( \frac{\partial f}{\partial x_i}u_{x_i} \right)^2 }

若:

y=abcy=\frac{ab}{c}

取对数微分:

ΔyyΔaa+ΔbbΔcc\frac{\Delta y}{y} \approx \frac{\Delta a}{a} +\frac{\Delta b}{b} -\frac{\Delta c}{c}

求最大可能相对误差时通常取绝对值相加:

ΔyymaxΔaa+Δbb+Δcc\left|\frac{\Delta y}{y}\right|_{\max} \approx \left|\frac{\Delta a}{a}\right| +\left|\frac{\Delta b}{b}\right| +\left|\frac{\Delta c}{c}\right|

若计算独立随机误差的合成,则使用平方和开方:

uyy(uaa)2+(ubb)2+(ucc)2\frac{u_y}{|y|} \approx \sqrt{ \left(\frac{u_a}{a}\right)^2+ \left(\frac{u_b}{b}\right)^2+ \left(\frac{u_c}{c}\right)^2 }

八、最可能出现的前序课件题目

Section titled “八、最可能出现的前序课件题目”

可能问:

  1. 静态特性与动态特性有什么区别?
  2. 一阶传感器时间常数有什么物理意义?
  3. 差动结构为什么能够提高灵敏度和改善线性?
  4. 应变片为什么会产生温度误差?如何补偿?
  5. 差动变压器如何判断位移大小和方向?
  6. 霍尔元件为什么存在不等位电势?怎样补偿?
  7. 二进制码盘为什么常改用格雷码?
  8. 常用的系统误差削弱方法有哪些?

可能给出:

  • 一阶或二阶阶跃响应曲线;
  • 差动电容结构;
  • 差动变压器线圈结构;
  • 霍尔元件调零电路;
  • 二进制码盘或格雷码表。

要求说明图中参数、输出变化或结构作用。

高概率题型:

  1. 根据 τ\tau 和阶跃响应计算响应时间;
  2. 应变、电阻变化和电桥输出;
  3. 变间隙电容的 ΔC\Delta C 和输出电压;
  4. 同轴圆柱电容的液位灵敏度;
  5. 气隙型电感、品质因数和等效电感;
  6. 编码器脉冲频率与转速;
  7. 二进制码与格雷码转换;
  8. 有效数字和间接测量误差传递。

最值得防的一条完整链路是:

被测位移、力、液位或温度
敏感元件参数变化
R、C、L、热电势、霍尔电压
测量电路转换
电桥、差动结构、放大电路
输出电压或数字量
误差分析与结果表达

老师如果要考“系统”,往往不会只问一个公式,而会让你说明从被测量到最终输出的整个转换过程。


第一轮,先背核心关系:

H(s)=Kτs+1H(s)=\frac{K}{\tau s+1} ΔRR=Kε\frac{\Delta R}{R}=K\varepsilon C=εSdC=\varepsilon\frac{S}{d} L=μ0N2SδL=\frac{\mu_0N^2S}{\delta} Q=2πfLRQ=\frac{2\pi fL}{R} UH=KHIBU_H=K_HIB n=60fNn=\frac{60f}{N}

第二轮,独立重做本文四道课件原题:

  1. 应变片与单臂电桥;
  2. 变间隙电容测微;
  3. 电容式液位传感器;
  4. 气隙型电感传感器。

第三轮,用一句话回答每类传感器:

测什么?
改变什么电参数?
用什么电路取出信号?
主要误差是什么?
怎样补偿?

第四轮,再复习最后两节课的误差、热电偶和超声波综合例题。


  • 能解释一阶系统在 t=τt=\tau 时为什么达到 63.2%63.2\%
  • 能根据二阶响应曲线判断欠阻尼、临界阻尼和过阻尼。
  • 能由应变求 ΔR/R\Delta R/RΔR\Delta R 和电桥输出。
  • 能说明应变片温度补偿片怎样接入电桥。
  • 能区分变间隙、变面积和变介质电容传感器。
  • 能计算平行板和同轴圆柱电容。
  • 能计算气隙型传感器的电感与品质因数。
  • 能说明差动变压器如何判断位移方向。
  • 能说明霍尔不等位电势和补偿思路。
  • 能计算编码器转速,并完成简单格雷码转换。
  • 能正确保留有效数字。
  • 能区分替代法、交换法、差动法和微差法。
  • 能写出间接测量误差传递公式。